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产品分类
Product classification详细介绍
半导体材料中高精度元素成分含量检测仪
电感耦合等离子体发射光谱仪（ICP-OES）
实验室使用的仪器（ICP-OES)详细简介：
仪器性能特点：
1、仪器自动化程度高
仪器的自动化程度高，除了电源开关外，所有操作均由软件完成。智能化的软件，可实时可对各项操作进行实时反馈及信息提示。
2、安全可靠的固态射频电源
仪器采用的射频电源，具有体积小、输出效率高、输出功率稳定，带有水路、气路及过载等各类安全保护功能，大大提升仪器的安全性，减小了仪器的故障率。
3、全自动点火及匹配技术
软件可全自动一键点火，所有的参数设置变化，均自动完成。配合自动匹配技术，点火成功率高，操作简便。
4、智能化的火焰监视功能
仪器配置了灵敏度高的光纤传感器，可在仪器工作状态下，实时监测火焰的工作情况，如遇异常熄火情况，可自动关闭仪器。
5、超高分辨率的光路系统
仪器配置了超高分辨率的4320刻线的进口光栅，配合*的光路调节技术，把普通仪器的分辨率约0、008nm降低至0、005nm以内，超高的分辨率保证了测试元素之间没有相互干扰。
6、精度高的恒温系统
仪器整体光路采用精密恒温系统保护，温度的控制可根据客户实验室实际环境温度实时设定，无需长时间不间断的开可调，控温精度≤±0、1℃，精密的恒温系统保证了光路的稳定性，测试数据更稳定。
7、高精度的气流控制系统
仪器工作中的等离子气、辅助气、载气全部采用高精度的质量流量控制器（MFC）来控制，具有流量连续可调、输出气流的精度高，保证了测试数据的准确性。
8、蠕动泵进样装置
仪器配置了通道十二滚轴的高精度蠕动泵，可同时保证进样的精度和防止积液，蠕动泵的转速连续可调，满足客户的多种测试要求。
9、观测位置自动调节
仪器采用二维的移动平台设计，可通过软件实时调节炬管的位置，通过反馈的信号值找到优化的观测位置，以获取较强的灵敏度，得出准确的测试效果。
10、超低的使用成本
仪器非工作状态下仪器电源、冷却水箱、气体全部关闭，不产生任何费用，仪器工作即开即用，无需长时间的光路预热。使用氩气纯度为99、99*%即可，无需99、999%的高纯氩，成本节约至少三分之一。
11、灵敏度高的检测器
仪器配置了高灵敏度进口光电倍增管（PMT）作为检测器，可针对不同的待测元素自动设置测试参数，以达到理想的检测状态，给出准确的测试结果。无需制冷，无需吹扫，使用寿命长。
ICP-OES仪器技术参数：
1、输入电源：电压交流220V，电流20A。
2、采用CzernyTurner型光路，焦距为1000mm。
3、离子刻蚀全息光栅，刻划面积（80×110）mm。
4、全自动一键点火，自动匹配，点火稳定、便捷。
5、采用同心圆雾化器搭配旋流雾室，1ppmMn强度＞1000000cps。
6、分辨率（Mn257、610nm）：≤0、005nm（4320刻线光栅）；≤0、008nm（3600刻线光栅）；≤0、015nm（2400刻线光栅）。
7、波长范围：190-460nm（4320刻线光栅）；190-500nm（3600刻线光栅）；190-800nm（2400刻线光栅）
8、自主研发全固态射频电源，输出功率800-1600W,连续可调，电源效率大于65%，工作频率27、12MHz，频率稳定性＜0、05%，功率输出稳定性＜0、05%。
X射线荧光光谱仪（XRF）
硅片表面金属污染物快速筛查。
石英坩埚纯度验证。
对轻元素（如H、He、Li、Be）灵敏度低（检测限>0.1%）。
定量精度受基体效应影响（相对误差约1%-5%）。
非破坏性检测：样品无需溶解或研磨，可直接分析固体、粉末、液体。
检测范围广：可分析从钠（Na）到铀（U）的绝大多数元素。
快速筛查：检测时间仅需几秒至几分钟，适合生产线批量检测。
波长色散型（WDXRF）：分辨率高，适合高精度定量分析。
能量色散型（EDXRF）：速度快、便携，适合现场分析。
原理：用X射线照射样品，激发特征荧光X射线，通过检测波长和强度确定元素种类及含量。
分类：
优势：
局限性：
应用场景：
应用场景：
半导体材料中高精度元素成分含量检测仪
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